共 568 个产品
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FLM6472-18F砷化镓场效应管
FLM6472-18F砷化镓场效应管¥ 0.00立即购买
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FSX017X GaAs FET 芯片
Sumitomo的FSX017X是为介质设计的通用GaAs FET功率应用高达12GHz。这些设备具有广泛的动态特性适用于中等功率、宽带、线性驱动器放大器或振荡器。住友电气严格的质量保证计划确保最高的可靠性和一致的性能。¥ 0.00立即购买
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SGFCF10S-D 高压塑料模GaN HEMT
Sumitomo的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、更大具有50V操作的高功率放大器的一致性和宽带宽，并且给你更高的增益。此新产品非常适合使用高达3.8GHz的W-CDMA和LTE设计要求，因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。该器件的目标应用是微电池的驱动阶段和最终阶段基站收发信台。¥ 0.00立即购买
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SGK0910-60A-R X波段 内部匹配 GaN HEMT
Sumitomo的SGK0910-60A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段，以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。¥ 0.00立即购买
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SGM6901VU GaN-HEMT模块
SGM6901VU GaN-HEMT模块¥ 0.00立即购买
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SGK7785-60A C波段 内部匹配 GaN HEMT
Sumitomo的SGK7785-60A是一种高功率GaN HEMT与标准通信频带匹配，以提供最佳，50欧姆系统中的功率和增益。¥ 0.00立即购买
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SMM5846V1D Ka波段 功率放大器 MMIC
Sumitomo的SMM5846V1D是一款MMIC放大器，包含四级放大器，内部匹配，适用于27.5至29.5GHz频率范围内的标准通信频带。该产品非常适合Ka波段的点对点无线电通信。住友电机严格的质量保证计划确保了最高的可靠性和一致的性能。¥ 0.00立即购买
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FHX35X/002 低噪声HEMT
Sumitomo的FHX35X/002芯片和FHX35LG/002封装器件均为HEMT（高电子迁移率晶体管）适合用作前端的晶体管在高速光波通信系统中的光学接收器。这种HEMT结合了高跨导、低栅极电容和低漏电流；实现低噪声的所有重要因素前置放大器。富士通严格的质量保证标准和详细的测试程序确保最高的可靠性性能。¥ 0.00立即购买
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SGNE010MK 高压 大功率 GaN HEMT
Sumitomo的 SGNE010MK GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。该设备的目标应用是低电流和宽带高电压应用。¥ 0.00立即购买
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SGNE045MK 高压 大功率GaN HEMT
Sumitomo的GaN HEMT SGNE045MK提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。该设备的目标应用是低电流和宽带高电压应用。¥ 0.00立即购买
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SGN2729-600H-R 雷达 高压大功率GaN HEMT
Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R为s波段雷达应用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆盖2.7至2.9 GHz，工作电压为50V，脉冲条件高达200µsec，脉冲宽度和占空比高达10%。¥ 0.00立即购买
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SGN2729-250H-R 用于S波段雷达的250W GaN HEMT
Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达应用120μsec的脉冲宽度和高达10%的占空比。¥ 0.00立即购买
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FLM6472-18F：C波段 GaAs FET实现20W高可靠功率输出
哈喽，朋友们，今天我要向大家介绍的是 SUMITOMO 的一款功率放大器——FLM6472-18F。 它拥有比硅高约5-6倍的电子迁移率（~8500 cm²/V·s vs ~1500 cm²/V·s）。这意味着电子在GaAs晶体中跑得更快、阻力更小。对于工作在吉赫兹（GHz）级别的高频信号，这种高速特性是保证晶体管能快速开关、高效放大的物理基础。没有它，在C波段实现高增益和高效率几乎不可能。¥ 0.00立即购买
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FLM4450-19F：内匹配GaAs FET赋能C波段5G基站
哈喽，朋友们，今天我要向大家介绍的是 SUMITOMO 的一款功率放大器——FLM4450-19F。 它采用金属陶瓷密封封装（通常是Type-1或类似气密封装）。金属外壳（如Kovar合金）和陶瓷绝缘环（如Al2O3）提供了优异的气密性，防止湿气和污染物侵蚀脆弱的GaAs芯片。它的输入端通常采用一个低损耗的T型或π型网络，由高Q值的薄膜电容（MIM电容）和空气桥电感（或微带线）构成，精确地将芯片的低输入阻抗变换到接近50Ω。¥ 0.00立即购买
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FLK027XV：Ku波段FET的稳定性与散热突破
哈喽，朋友们，今天我要向大家介绍的是 SUMITOMO 的一款功率放大器——FLK027XV。 它的核心设计亮点在于其 源极通过通孔（Via-Hole）直接连接到芯片底部（PHS）。这就像在芯片内部打通了一条“接地捷径”。其电流从源极流回地的路径极短、阻抗极低。这在高频应用中至关重要，能显著提升器件的稳定性、增益和效率，减少寄生振荡的风险。¥ 0.00立即购买
