共 550 个产品
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FLM6472-18F砷化镓场效应管
FLM6472-18F砷化镓场效应管¥ 0.00立即购买
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FSX017X GaAs FET 芯片
Sumitomo的FSX017X是为介质设计的通用GaAs FET功率应用高达12GHz。这些设备具有广泛的动态特性适用于中等功率、宽带、线性驱动器放大器或振荡器。住友电气严格的质量保证计划确保最高的可靠性和一致的性能。¥ 0.00立即购买
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SGFCF10S-D 高压塑料模GaN HEMT
Sumitomo的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、更大具有50V操作的高功率放大器的一致性和宽带宽，并且给你更高的增益。此新产品非常适合使用高达3.8GHz的W-CDMA和LTE设计要求，因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。该器件的目标应用是微电池的驱动阶段和最终阶段基站收发信台。¥ 0.00立即购买
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SGK0910-60A-R X波段 内部匹配 GaN HEMT
Sumitomo的SGK0910-60A-R是一种高功率GaN HEMT内部匹配用于X波段雷达波段，以提供50欧姆系统中的最佳功率和增益。¥ 0.00立即购买
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SGM6901VU GaN-HEMT模块
SGM6901VU GaN-HEMT模块¥ 0.00立即购买
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SGK7785-60A C波段 内部匹配 GaN HEMT
Sumitomo的SGK7785-60A是一种高功率GaN HEMT与标准通信频带匹配，以提供最佳，50欧姆系统中的功率和增益。¥ 0.00立即购买
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SMM5846V1D Ka波段 功率放大器 MMIC
Sumitomo的SMM5846V1D是一款MMIC放大器，包含四级放大器，内部匹配，适用于27.5至29.5GHz频率范围内的标准通信频带。该产品非常适合Ka波段的点对点无线电通信。住友电机严格的质量保证计划确保了最高的可靠性和一致的性能。¥ 0.00立即购买
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FHX35X/002 低噪声HEMT
Sumitomo的FHX35X/002芯片和FHX35LG/002封装器件均为HEMT（高电子迁移率晶体管）适合用作前端的晶体管在高速光波通信系统中的光学接收器。这种HEMT结合了高跨导、低栅极电容和低漏电流；实现低噪声的所有重要因素前置放大器。富士通严格的质量保证标准和详细的测试程序确保最高的可靠性性能。¥ 0.00立即购买
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SGNE010MK 高压 大功率 GaN HEMT
Sumitomo的 SGNE010MK GaN HEMT提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。该设备的目标应用是低电流和宽带高电压应用。¥ 0.00立即购买
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SGNE045MK 高压 大功率GaN HEMT
Sumitomo的GaN HEMT SGNE045MK提供高效率、易于匹配、高功率L波段放大器的一致性和宽频带50V操作，并为您提供更高的增益。该设备的目标应用是低电流和宽带高电压应用。¥ 0.00立即购买
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SGN2729-600H-R 雷达 高压大功率GaN HEMT
Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R为s波段雷达应用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆盖2.7至2.9 GHz，工作电压为50V，脉冲条件高达200µsec，脉冲宽度和占空比高达10%。¥ 0.00立即购买
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SGN2729-250H-R 用于S波段雷达的250W GaN HEMT
Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-250H-R提供高功率、高S波段覆盖2.7至2.9GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲条件的雷达应用120μsec的脉冲宽度和高达10%的占空比。¥ 0.00立即购买
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FLL400IP-2 L波段 中高功率 GaAs FET
Sumitomo的FLL400IP-2是采用推挽设计的35瓦GaAs FET提供了易于匹配、更高的一致性和更宽的带宽功率L波段放大器。此产品旨在减少尺寸和复杂性高线性、高功率基站发射放大器。这个新产品是独特地适用于PCS/PCN基站放大器，因为它提供高增益，长期可靠性和易用性。¥ 0.00立即购买
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FLM2527L-20F L波段 内部匹配 FET
Sumitomo的FLM2527L-20F是一种功率GaAs FET，内部匹配标准通信频带，以在50欧姆系统。该产品特别适合在MMDS基地使用站放大器应用。SEDI严格的质量保证计划确保可靠性和一致的性能。¥ 0.00立即购买
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FLM2023L-30F L波段 内部匹配 FET
Sumitomo的FLM2023L-30F是一种内部匹配的功率GaAs FET用于标准通信频带，以提供最佳功率和50W系统中的增益。¥ 0.00立即购买
