共 259 个产品
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CG2H40045F DC到4GHz高性能射频功率晶体管
CG2H40045F DC到4GHz高性能射频功率晶体管¥ 0.00立即购买
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CGH40045F 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏电源轨运行，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。 GaN HEMT 具有高效率、高增益和宽带宽功能，使 CGH40045 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用法兰和药丸封装。¥ 0.00立即购买
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CMPA0530002S 适用于预驱动器/驱动器放大器应用
CMPA0530002S 适用于预驱动器/驱动器放大器应用及评估板实物¥ 0.00立即购买
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CGH27015F-AMP 评估版设置说明
CGH27015F-AMP 评估版设置说明¥ 0.00立即购买
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CGH27015F氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
Wolfspeed的CGH27015是一款针对VHF、通信、3G、4G、LTE、2.3-2.9 GHz WiMAX和BWA放大器应用进行优化的GaN高电子迁移率晶体管，具有高效率、高增益和宽频带能力。该产品具有螺丝固定法兰和焊接无引脚封装两种形式。特点包括：15W峰值功率能力，14.5dB小信号增益，2W PAVE < 2.0% EVM，28%效率。¥ 0.00立即购买
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CGH40010F氮化镓（GaN）高 电子迁移率晶体管
CGH40010F氮化镓（GaN）高 电子迁移率晶体管¥ 0.00立即购买
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CGH40010F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
CGH40010F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)¥ 0.00立即购买
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CGH40010F-TB 评估板
CGH40010F-TB 评估板¥ 0.00立即购买
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PTVA127002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 700 W CREE
PTVA127002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 700 W CREE¥ 0.00立即购买
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PTVA123501FC-V1/PTVA123501EC-V2 大功率射频 LDMOS FET 350 W CREE
PTVA123501FC-V1/PTVA123501EC-V2 大功率射频 LDMOS FET 350 W CREE¥ 0.00立即购买
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PTVA120501EA-V1 高功率射频 LDMOS FET 50 W CREE
PTVA120501EA-V1 高功率射频 LDMOS FET 50 W CREE¥ 0.00立即购买
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PTVA104501EH-V1 大功率射频 LDMOS FET 450 W CREE
PTVA104501EH-V1 大功率射频 LDMOS FET 450 W CREE¥ 0.00立即购买
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PTVA102001EA-V1 大功率射频 LDMOS FET 200 W CREE
PTVA102001EA-V1 大功率射频 LDMOS FET 200 W CREE¥ 0.00立即购买
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PTVA101K02EV-V1 大功率射频 LDMOS FET 1000 W CREE
PTVA101K02EV-V1 大功率射频 LDMOS FET 1000 W CREE¥ 0.00立即购买
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PTVA092407NF-V2 大功率射频 LDMOS FET 240 W CREE
PTVA092407NF-V2 大功率射频 LDMOS FET 240 W CREE¥ 0.00立即购买
