韦尔半导体（Will Semiconductor）是一家专注于模拟与分立半导体设计的领先公司，成立于2007年，总部位于中国上海。这家公司隶属于豪威集团，业务涵盖半导体分立器件和电源管理IC的研发与设计，以及相关半导体产品的分销。韦尔半导体提供高效的电源管理和接口管理解决方案，服务于移动终端、可穿戴设备、IoT等多个领域。

此外，韦尔半导体在2019年并购了北京豪威科技有限公司，进一步扩大了其技术和市场范围。

 

 

 

 

 

 

产品目录

 

保护器件：小功率静电保护器 (ESD)

 

功率器件：功率MOSFET、肖特基二极管(SBD)、双极型晶体管(BJT)

 

电源管理器件：线性稳压器(LDO)、降压型和升压型开关稳压器、充电管理IC

 

模拟开关和数据开关：音频开关、数据开关、USB-C接口芯片

 

背光驱动和闪光灯驱动：用于显示和照明应用

 

负载开关和过压保护器：提供电源保护和管理功能

 

OH02A1S：医疗内窥镜成像技术的突破”
OH02A1S是WILLSEMI/OmniVision推出的一款医疗图像传感器，专为癌症诊断和治疗设计。该传感器能在单个CMOS芯片上同时捕获白光RGB图像和红外单色图像，解决了传统内窥镜需要两个独立成像传感器的问题，从而减小了尺寸、降低了成本和功耗，减少了内窥镜尖端过热的情况。
¥ 0.00
TD4377 - 全高清144Hz触显驱动集成
TD4377是WILLSEMI/OmniVision推出的一款触显驱动集成（TDDI）芯片，专为智能手机LCD显示屏设计。这款芯片能够实现1080像素的全高清（FHD）分辨率和最高144 Hz的显示帧率。相比之前的TD4375，TD4377在质量上保持同样的高标准，适用于一级OEM手机的大规模生产。
¥ 0.00
OX01E20 - 小型化、低功耗的汽车图像传感器
OX01E20是WILLSEMI/OmniVision推出的一款1.3兆像素系统级芯片（SoC），专为汽车360度环视系统（SVS）和后视摄像头（RVC）设计。可在各种具有挑战性的照明条件下为 SVS 和 RVC 提供业界最佳的成像性能，同时具有最紧凑的外形尺寸和最低功耗。
¥ 0.00
OX05B：为汽车内部监控系统设计的传感器
OX05B是WILLSEMI/OmniVision推出的一款专为汽车内部监控设计的高性能5MP RGB-IR全局快门传感器。该传感器拥有仅2.2 µm的像素尺寸，能够在极低光照条件下提供940 nm近红外(NIR)灵敏度，实现出色的性能。它具有宽视野，足以监控驾驶员和乘客。
¥ 0.00
OV05C10：具有 5.2 百万像素的图像传感器
OV05C10是WILLSEMI/OmniVision推出的一款具有 5.2 百万像素 的图像传感器，专为 16:10 宽高比笔记本电脑开发，包括主流和高端笔记本电脑、平板电脑和物联网设备。还支持人体存在检测 (HPD)，可提高人工智能 (AI) 应用的效率，延长便携式设备的电池寿命。
¥ 0.00
OG0VA1B-GA5A：低功耗和高效率的完美结合
OG0VA1B-GA5A是WILLSEMI/OmniVision推出的一款低压、高性能的图像传感器，具有业界最小的2.2微米像素尺寸。这款图像传感器是其背照式 (BSI)、全局快门 (GS) 传感器系列的扩展，可提供 VGA 分辨率选项，在全局快门设备中具有最佳的 NIR 性能。
¥ 0.00
OG05B1B：为智能交通系统优化的传感器
OG05B1B是WILLSEMI/OmniVision推出的一款5百万像素全局快门（GS）图像传感器，采用业界最小的2.2 µm背照式（BSI）像素，提供高分辨率和紧凑设计。这款传感器取代了传统的较大2.5 µm正面照式（FSI）GS传感器，广泛应用于机器视觉相机中。
¥ 0.00
OH0FA10- 多分辨率、多帧率选择的医疗图像传感器
OH0FA10是WILLSEMI/OmniVision推出的一款高性能模拟图像传感器，专为医疗内窥镜设计。这款传感器具有720 x 720的分辨率，提供30帧每秒的帧率，是目前市场上分辨率最高的产品之一，确保在各种医疗程序中获得最佳图像质量。
¥ 0.00
OS05L10: 高动态范围5MP图像传感器
OS05L10是WILLSEMI/OmniVision推出的一款5 百万像素 (MP) 图像传感器，配备小型 2.0 微米 (µm) 前照式 (FSI) 像素，采用OmniPixel®3‑HS 技术，灵敏度高、性能佳。双曝光交错高动态范围 (HDR)可扩大动态范围，从而获得最高质量的图像。
¥ 0.00
OVB0B：引领智能手机相机技术的革新
OVB0B是WILLSEMI/OmniVision推出的一款全球最小的200MP图像传感器，像素尺寸仅为0.61 µm，专为高性能智能手机相机设计。其独特的16-cell binning技术，在12.5MP模式下提供卓越的视频和预览质量，尤其在低光环境下表现出色。作为首款提供100%四相位检测（QPD）技术的200MP传感器，OVB0B具有出色的快速自动对焦性能。
¥ 0.00
OG02B10：工业自动化与机器视觉的领跑者
OG02B10是WILLSEMI/OmniVision推出的一款2百万像素的全球快门图像传感器，旨在以经济高效的方式支持各种消费和工业机器视觉应用。这款传感器具有最佳分辨率，并支持全彩成像，拥有15度的主光线角度（CRA），能够支持广角镜头设计。
¥ 0.00
OV2740：1.4微米像素技术，高清视频与低功耗的结合
OV2740是WILLSEMI/OmniVision推出的一款超低功耗、全高清（FHD）图像传感器，专为智能手机、平板电脑、笔记本和Ultrabooks的前置摄像头应用设计。该传感器在录制1080p高清视频时，每秒60帧（fps）的功耗低于90毫瓦，是目前市场上功耗最低的1080p/60图像传感器。
¥ 0.00
OV02C10-A20A-001A-Z：智能设备的高清视觉盛宴
OV02C10-A20A-001A-Z是WILLSEMI/OmniVision推出的一款1/7英寸、2百万像素的图像传感器，专为超薄边框高端笔记本电脑、平板电脑和物联网设备中的全高清（HD）视频性能设计。该传感器提供60帧每秒（fps）的速率和在最薄3mm模块Y尺寸中的优秀像素性能，以实现高屏幕到机身比例的设计
¥ 0.00
OVM7695RAEA：引领移动前置摄像头技术的新时代
OVM7695RAEA是WILLSEMI/OmniVision推出的一款超紧凑VGA CameraCubeChip™，专为下一代移动设备的前置摄像头应用设计。行业内唯一使用背面照明（BSI）像素技术的VGA摄像头。在困难光照条件下提供更优的灵敏度和图像再现，支持30帧/秒的高质量VGA视频拍摄，并通过SCCB接口提供全帧、子采样和裁剪图像。
¥ 0.00
OH0131-医用内窥镜摄像机的图像信号处理器
OH0131是WILLSEMI/OmniVision推出的一款图像信号处理器。适用于连接到手持平板电脑控制台或相机控制单元 (CCU) 的可重复使用和一次性内窥镜。它支持所有高达 200 万像素 (MP) 分辨率的 OMNIVISION 医学图像传感器。
¥ 0.00
OV2775ARDS：引领汽车视觉技术革新
OV2775ARDS是WILLSEMI/OmniVision推出的一款快速组合图像传感器。S体积小巧，非常适合用于后视镜视频、摄像头监控系统（CMS）和行车记录仪等多种ADAS应用。其演示套件包含高性能的OV2775图像传感器、可选的OV495图像信号处理器和序列化摄像头模块。
¥ 0.00
OAX8000：高性能、低功耗的DMS系统核心
OAX8000是WILLSEMI/OmniVision推出的一款支持 AI 的汽车专用集成电路 (ASIC)，针对入门级独立驾驶员监控系统 (DMS) 进行了优化。采用堆叠芯片架构，提供片上 DDR3 SDRAM 内存 (1Gb)。它还集成了神经处理单元 (NPU) 和图像信号处理器 (ISP)，为眼球注视和眼球追踪算法提供高达每秒 1.1 万亿次操作的专用处理速度。
¥ 0.00
ESD5451R：用于低速数据线和控制线的电子保护
ESD5451R是WILLSEMI/OmniVision推出的一款1线双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子组件而设计。这款器件能够防护由静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和雷击导致的过压应力。可以提供最高±30kV的ESD保护（接触和空气放电），并能够承受根据IEC61000-4-5标准的最高8A（8/20μs）的峰值脉冲电流。
¥ 0.00
SPD9611B - 高效瞬态浪涌吸收能力的晶闸管
SPD9611B是WILLSEMI/OmniVision推出的一款双向晶闸管浪涌抑制器（TSS），旨在为集成电路提供ESD保护，特别针对电信设备免受损害性过电压瞬变的影响。它适用于音频视频线路、网络和电信、数据线及安全系统、串行端口、BNC接口以及数字视频录像机等多种场合。
¥ 0.00
WSB5510M：适用于多种应用的 SMA 封装肖特基二极管
WSB5510M是WILLSEMI/OmniVision推出的一款2A肖特基势垒二极管。它具备多种显著特点，包括肖特基势垒整流、防护保护、低正向电压、反向能量测试、高电流能力和极低的热阻。它们适用于多种标准应用，尤其是在需要高效能整流和保护的电子设备中。
¥ 0.00
WSB5552TH - 高效能、高稳定性的整流器
WSB5552TH是WILLSEMI/OmniVision推出的一款功率肖特基势垒整流器，具有多种显著特点和应用。该型号整流器能够提供 2x5A 的平均整流正向电流，同时具有低正向电压和低泄漏电流的特点。其高温稳定性出色，能够承受高达 150°C 的结温。
¥ 0.00
WL2803K：稳定输出，广泛应用的LDO稳压器
WL2803K是WILLSEMI/OmniVision推出的一款新型600V N-Channel超级结MOSFET。该系列利用先进的电荷平衡机制，实现了极低的导通电阻和较低的栅极电荷性能，有效减少了导通损耗，并提供了优越的开关性能。
¥ 0.00
WCR470N60TF - 超级结MOSFET，卓越的开关特性
WCR470N60TF是WILLSEMI/OmniVision推出的一款新型600V N-Channel超级结MOSFET。该系列利用先进的电荷平衡机制，实现了极低的导通电阻和较低的栅极电荷性能，有效减少了导通损耗，并提供了优越的开关性能。
¥ 0.00
WNM07N65F 功率晶体管设计与应用
WNM07N65F是WILLSEMI/OmniVision推出的一款650V N-Channel 增强型 MOSFET 晶体管。它采用先进的高电压 MOSFET 工艺和设计，提供了优秀的 RDS(ON) 特性和低门极电荷。该器件适用于流行的 AC-DC 应用、功率开关应用和多种其他应用。
¥ 0.00
WPM2014：高性能P通道功率MOSFET
WPM2014是WILLSEMI/OmniVision推出的一款P通道增强型MOS场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽技术和设计，提供极低的ON电阻和低门控电荷，非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。可应用于继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动，以及电源开关和负载开关。
¥ 0.00
WD3124DB - 双模式切换LED驱动器
WD3124DB是WILLSEMI/OmniVision推出的一款高性能LED驱动器，专为高亮度LED闪光灯应用设计。这款驱动器能够为闪光灯和常亮模式提供高达1000mA的输出电流，并具有自动切换升压和降压模式的功能，确保LED电流不依赖于正向电压。以2.2MHz的高频率运行，允许使用小型组件，输入电压范围为2.7V至5.5V，非常适合由单节锂离子电池或三至四节镍氢、镍镉或碱性电池供电的应用。
¥ 0.00
WS3208D - 高效稳定的过流保护解决方案
WS3208D是WILLSEMI/OmniVision推出的一款高性能过压和过流保护集成电路。该器件能够在输入电压或输入电流超过设定阈值时，通过关闭内部MOSFET来断开VIN到VOUT的连接，从而保护负载。它还具备过温保护（OTP）功能，监控芯片温度以保护器件。
¥ 0.00
WAS4760Q：支持负摆幅音频的模拟开关
WAS4760Q是WILLSEMI/OmniVision推出的一款高性能双Single Pole Single Throw (SPST)模拟开关。该型号具有负摆幅音频能力，特别适用于移动设备。在3.6V VCC下的Ron低至1Ω（典型值），工作电压范围为3.3V至4.5V，设计用于高电压隔离。EN输入兼容1.8V逻辑电平，具有智能电路，即使在控制电压低于VCC供电电压时也能最小化VCC泄漏电流。
¥ 0.00
WPMD4953A ：卓越的ON电阻特性
WPMD4953A是WILLSEMI/OmniVision推出的一款双通道 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管 (MOSFET)。这款器件采用了先进的沟槽技术和高密度单元设计，拥有出色的导通电阻和极低的阈值电压，并且采用了小型 SOP-8L 封装，非常适合 DC/DC 转换器、电源转换电路和便携式设备的负载/电源开关等应用。
¥ 0.00
WPM9435A是P-通道增强型 MOS 场效应晶体管
WPM9435A是WILLSEMI/OmniVision推出的一款P-通道增强型 MOS 场效应晶体管，采用先进的 trench 技术和设计，提供出色的 RDS(ON) 电阻和低门控电荷。这款器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。
¥ 0.00
WPM3035A：DC转换器理想之选
WPM3035A是WILLSEMI/OmniVision推出的一款P通道增强型MOS场效应晶体管。该器件采用先进的trench技术，设计用于提供低栅极电荷下的优秀导通电阻（RDS(ON)）。非常适合用于DC-DC转换器、电源开关和充电电路。
¥ 0.00
WPM3020增强型MOS场效应晶体管
WPM3020是WILLSEMI/OmniVision推出的一款P-Channel增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS(ON)和低门极电荷。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
¥ 0.00
WPM2301：小型无刷直流电机的理想驱动器
WPM2026是WILLSEMI/OmniVision推出的一款采用先进沟槽技术的P-Channel功率MOSFET，具备低栅极电荷和优秀的RDS(ON)特性。该器件适用于DC-DC转换应用，标准产品WPM2301是无铅的。它适用于锂离子电池充电、高边DC-DC转换电路、小型无刷直流电机的驱动以及便携式、电池供电产品的电源管理。
¥ 0.00
WPM2026：高性能与紧凑尺寸的完美结合
WPM2026是WILLSEMI/OmniVision推出的一款P-Channel增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供优秀的RDS(ON)和低门极电荷。这种器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
¥ 0.00
WPM2065A：高效P通道功率MOSFET
WPM2065A是WILLSEMI/OmniVision推出的一款P通道增强型MOS场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、功率开关和充电电路。
¥ 0.00
WNMD9926：低栅极电荷，高密度设计的代表
WNMD9926是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N 沟道增强型功率 MOSFET。它采用先进的 trench 技术和设计，提供极低的 RDS(ON) 和低栅极电荷。这使得 WNMD9926 非常适合用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 WNMD9926 无铅且无卤素，符合环保要求。
¥ 0.00
WNMD4800：小型封装中的高性能功率转换
WNMD4800是WILLSEMI/OmniVision推出的一款双 N 通道、30V、6.9A 的功率 MOSFET。该器件采用先进的 trench 技术和超高密度单元设计，具备出色的 ON 电阻和极低的阈值电压。其小型 SOP-8L 封装使其成为便携式设备中电源转换、负载/电源开关的理想选择。
¥ 0.00
WNMD2186 - 适用于锂电池保护电路的MOSFET
WNMD2186 是WILLSEMI/OmniVision推出的一款双N通道增强型MOS场效应晶体管。这款产品采用了先进的trench技术，设计用于锂电池保护电路。其特点包括超高的密度单元设计、优秀的ON电阻性能、极低的阈值电压和共漏型结构。
¥ 0.00
WNMD2171 - 高密度电池保护电路的理想选择
WNMD2171是WILLSEMI/OmniVision推出的一款双 N-Channel 功率 MOSFET，采用先进的 trench 技术和超高密度单元设计，具备卓越的 ON 电阻特性和极低的阈值电压。该器件设计用于锂离子电池保护电路，采用小型 CSP-4L 封装，非常适合高效能电池管理系统。
¥ 0.00
WNMD2160A - 低压阈值、高效率MOSFET
WNMD2160A是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用了先进的trench技术和设计，提供了极低的RDS(ON)和低门极电荷。它的主要应用包括继电器、螺线管、电机、LED等的驱动，以及DC-DC转换器电路、电源开关、负载开关和充电应用。
¥ 0.00
WNMD2090：先进技术与封装的完美结合
WNMD2090是WILLSEMI/OmniVision推出的一款双N通道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供极低的导通电阻和低门极电荷。此器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNMD2090是无铅和卤素自由的，具有ESD保护功能。
¥ 0.00
WNMD2050：驱动继电器和螺线管的理想选择
WNMD2050是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。该器件采用先进的trench技术和设计，提供极低的导通电阻和低门控电荷。它的主要应用领域包括驱动继电器、螺线管、灯和锤子，以及电源转换器和便携设备中的负载/电源开关。
¥ 0.00
WNM6006 - 便携设备理想之选的电源开关
WNM6006 是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N-Channel 增强型功率 MOSFET。这款器件采用了先进的 trench 技术，并具有高密度单元设计，从而在保持低 ON 阻抗的同时，提供了卓越的 RDS(ON) 性能。
¥ 0.00
WNM4006 - 小型 SOT-23 封装中的强大性能
WNM4006是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N-Channel 功率 MOSFET。该型号采用先进的沟槽技术和超高密度单元设计，提供优秀的 ON 电阻和极低的阈值电压。其小型 SOT-23 封装使其成为空间受限应用的理想选择。适用于多种应用，包括继电器、电磁阀、电机、LED 驱动，以及 DC-DC 转换器电路、电源开关、负载开关和充电电路。
¥ 0.00
WNM3053：小型封装中的高性能功率转换
WNM3053是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N-Channel 增强型 MOSFET。它采用了先进的 trench 技术和设计，提供极低的 ON 电阻和低门控电荷，非常适合用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。这款标准产品 WNM3053 是无铅的，符合环保要求。
¥ 0.00
WNM3042 - 先进 trench 技术的功率转换器
WNM3042是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N-Channel 增强型 MOSFET。它采用先进的 trench 技术和设计，具有出色的 RDS(ON) 特性和低门控电荷。这款器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。它适用于 DC/DC 转换器、电源供应转换电路以及便携式设备的负载/电源开关。
¥ 0.00
WNM3032 - N沟道增强型MOS场效应晶体管
WNM3032是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。该器件采用了先进的沟槽技术和设计，提供极低的RDS(ON)和低门电荷。这使得WNM3032非常适合用于DC-DC转换、功率开关和充电电路。标准产品WNM3032是无铅的。
¥ 0.00
WNM3019：卓越的开关性能与小型化设计
WNM3019是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。该器件采用先进的沟槽技术设计，提供极低的RDS(ON)和低门电荷，非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
¥ 0.00
WNM3008：超低阈值电压，优化电源性能
WNM3008是WILLSEMI/OmniVision推出的一款小巧而强大的 N 沟道增强型 MOSFET，拥有许多令人印象深刻的特性。它采用先进的沟槽技术和高密度单元设计，使其拥有极低的导通电阻，这意味着它可以高效地驱动大电流负载，同时保持较低的功耗。
¥ 0.00
WNM2077：高密度细胞设计的优势
WNM2077是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N-Channel 增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 trench 技术和设计，提供优秀的 RDS(ON) 和低门电荷，非常适合用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。
¥ 0.00
넳 넲
끳查看全部产品