CREE| Wolfspeed是一家实力雄厚的半导体公司，专注于碳化硅和GaN技术。

经过30多年的新技术采用和转型，我们的Wolfspeed电源和射频（RF）半导体以及照明级LED通过无与伦比的专业知识和能力引领行业。

 

 


产品目录

 

射频放大器

管芯DIE

GaN HEMT

SiC晶体管

LDMOS功率晶体管

CG2H40045F DC到4GHz高性能射频功率晶体管
CG2H40045F DC到4GHz高性能射频功率晶体管
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CGH40045F 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管
Wolfspeed原Cree 的 CGH40045F 是一款45 W、DC - 4 GHz 氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。 CGH40045 采用 28 伏电源轨运行，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。 GaN HEMT 具有高效率、高增益和宽带宽功能，使 CGH40045 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。该晶体管采用法兰和药丸封装。
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CMPA0530002S 适用于预驱动器/驱动器放大器应用
CMPA0530002S 适用于预驱动器/驱动器放大器应用及评估板实物
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CGH27015F-AMP 评估版设置说明
CGH27015F-AMP 评估版设置说明
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CGH27015F氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管
Wolfspeed的CGH27015是一款针对VHF、通信、3G、4G、LTE、2.3-2.9 GHz WiMAX和BWA放大器应用进行优化的GaN高电子迁移率晶体管，具有高效率、高增益和宽频带能力。该产品具有螺丝固定法兰和焊接无引脚封装两种形式。特点包括：15W峰值功率能力，14.5dB小信号增益，2W PAVE < 2.0% EVM，28%效率。
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CGH40010F氮化镓（GaN）高 电子迁移率晶体管
CGH40010F氮化镓（GaN）高 电子迁移率晶体管
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CGH40010F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
CGH40010F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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CGH40010F-TB 评估板
CGH40010F-TB 评估板
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PTVA127002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 700 W CREE
PTVA127002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 700 W CREE
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PTVA123501FC-V1/PTVA123501EC-V2 大功率射频 LDMOS FET 350 W CREE
PTVA123501FC-V1/PTVA123501EC-V2 大功率射频 LDMOS FET 350 W CREE
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PTVA120501EA-V1 高功率射频 LDMOS FET 50 W CREE
PTVA120501EA-V1 高功率射频 LDMOS FET 50 W CREE
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PTVA104501EH-V1 大功率射频 LDMOS FET 450 W CREE
PTVA104501EH-V1 大功率射频 LDMOS FET 450 W CREE
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PTVA102001EA-V1 大功率射频 LDMOS FET 200 W CREE
PTVA102001EA-V1 大功率射频 LDMOS FET 200 W CREE
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PTVA101K02EV-V1 大功率射频 LDMOS FET 1000 W CREE
PTVA101K02EV-V1 大功率射频 LDMOS FET 1000 W CREE
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PTVA092407NF-V2 大功率射频 LDMOS FET 240 W CREE
PTVA092407NF-V2 大功率射频 LDMOS FET 240 W CREE
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PTVA082407NF-V2 大功率射频 LDMOS FET 240 W CREE
PTVA082407NF-V2 大功率射频 LDMOS FET 240 W CREE
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PTVA047002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 700 W CREE
PTVA047002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 700 W CREE
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PTVA043502EC-V1/PTVA043502FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 350 W CREE
PTVA043502EC-V1/PTVA043502FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 350 W CREE
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PTVA035002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 500 W CREE
PTVA035002EV-V1 高功率射频 LDMOS FET 500 W CREE
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PTVA030121EA-V1 大功率射频 LDMOS FET 12 W CREE
PTVA030121EA-V1 大功率射频 LDMOS FET 12 W CREE
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PTRA097008NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 630 W CREE
PTRA097008NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 630 W CREE
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PTRA093818NF-V1 大功率射频 LDMOS FET 415 W CREE
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PTRA087008NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 650 W CREE
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PTRA082808NF-V1 高功率射频 LDMOS FET 280 W CREE
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PTGA090304MD-V2 宽带 LDMOS 两级集成功率放大器 2 x 20 W CREE
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PTGA090304MD-V2 宽带 LDMOS 集成功率放大器 2 X 15 W CREE
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PTFC270101M-V1 大功率射频 LDMOS FET 10 W CREE
PTFC270101M-V1 大功率射频 LDMOS FET 10 W CREE
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PXAC210552FC-V1 高功率射频 LDMOS FET CREE
PXAC210552FC-V1 高功率射频 LDMOS FET CREE
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PXAD184218FV-V1 大功率射频 LDMOS FET 420 W CREE
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PXAE213708NB-V1 LDMOS Doherty 晶体管 CREE
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PXAE183708NB-V1 大功率射频 LDMOS FET 320 W CREE
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PXFC191507FC-V1 大功率射频 LDMOS FET 150 W
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PXFE211507FC-V1 大功率射频 LDMOS FET
PXFE211507FC-V1 大功率射频 LDMOS FET
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WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)
WSGPA01-V1 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA)
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PTAC210802FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTVA355001EC氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTVA220701FA-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTVA212701FA-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTVA126001EC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTVA123501FA-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTVA107001EC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTRA412852FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTRA412852FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTRA384802FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
GTRA384802FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTRA374902FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTRA364002FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
GTRA364002FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTRA362802FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
GTRA362802FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTRA362002FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
GTRA362002FC-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTRA360502M-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
GTRA360502M-V1氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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GTRA263902FC-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
GTRA263902FC-V2氮化镓 (GaN)on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)
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