Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 是标准普尔小型股 600 指数和罗素 3000 指数成员公司，为高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商，产品涵盖广泛领域，包括分立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。Diodes 亦为汽车、工业、运算、消费性电子及通讯等市场提供服务。

Diodes 的产品包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、GPP桥、GPP整流器、保护装置、特定功能数组、单闸极逻辑、放大器与比较器、霍尔效应与温度传感器、电源管理设备，包括AC-DC 转换器与控制器、DC-DC 开关与线性稳压器，以及电压参考与LED驱动器；以及特殊功能装置，例如 USB 电源开关、负载开关、电压监控器及马达控制器。Diodes 亦提供高速信号的定时、连接、开关与信号完整性解决方案。

 

 

 

 

 

 


产品目录

 

分立组件
模拟
电源管理
连接与频率产品
逻辑和电压转换
车用产品
接触式影像传感器

ZXTN08400BNS 功率 高压 晶体管
DIODES 的 ZXTN08400BNS PowerDI3333-8 中的 400V 双 NPN 中等功率晶体管.
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RFFM4558 前端模块
Qorvo 的 RFFM4558 在单个前端模块 (FEM) 中为 Wi-Fi 802.11a/n/ac 系统提供完整的集成解决方案。小尺寸和集成匹配最大限度地减少了应用中的布局面积，并大大减少了外部组件的数量。性能侧重于节省功耗，同时保持最高的线性输出功率和领先的吞吐量。RFFM4558 集成了一个 5GHz 功率放大器 (PA)、单刀双掷开关 (SP2T) 和一个带旁路的低噪声放大器 (LNA)。集成滤波包括 2 次和 3 次谐波以及双频双并发操作的 2.4GHz 抑制。该器件采用 2.5mm x 2.5mm x 0.98mm、16 引脚层压封装。
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UJ4SC075018B7S 栅极驱动 SiC FET 器件
Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
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UJ3C065030T3S 栅极驱动 SiC 器件
Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 产品，将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 TO-220-3L 封装，具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合开关电感负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
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UJ3C065030B3 栅极驱动 SiC 器件
Qorvo 的 UJ3C065030B3 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 D2PAK-3L 封装，具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合开关电感负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。
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UF4SC120030K4S 栅极驱动 SiC FET 器件
Qorvo 的 UF4SC120030K4S 是一款 1200 V、30 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 TO-247-4L 封装，具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
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UF4SC120023K4S 栅极驱动 SiC FET 器件
Qorvo 的 UF4SC120023K4S 是一款 1200 V、23 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 TO-247-4L 封装，具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
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UF4C120070K4S 栅极驱动 SiC FET 器件
Qorvo 的 UF4C120070K4S 是一款 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 TO-247-4L 封装，具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。
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ZXTN2020F NPN 中功率 晶体管
DIODES 的 ZXTN2020F 先进的工艺能力和封装设计已被用于最大限度地提高这种小外形晶体管的功率处理能力和性能。该设备的紧凑尺寸和额定值使其非常适合空间非常宝贵的应用。
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ZXTN19020DFF 低饱和 晶体管
DIODES 的 ZXTN19020DFF 先进的工艺能力已被用于最大限度地提高该晶体管的性能。SOT23F 封装与行业标准 SOT23 封装兼容，但为功率密度至关重要的应用提供了更小的外形和更高的功耗。
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ZXTN19020CFF 低饱和 晶体管
DIODES 的 ZXTN19020CFF先进的工艺能力已被用于最大限度地提高该晶体管的性能。SOT23F 封装与行业标准 SOT23 封装兼容，但为功率密度至关重要的应用提供了更小的外形和更高的功耗。
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ZXTN08400BFF 功率 高压 晶体管
DIODES 的 ZXTN08400BFF 该 NPN 晶体管专为需要高电压阻断的应用而设计。SOT23F 封装与行业标准 SOT23 封装引脚兼容，但为功率密度至关重要的应用提供了更小的外形和更高的功耗。
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ZXTN07045EFF 低饱和晶体管
DIODES 的 ZXTN07045EFF 这种低压 NPN 晶体管专为需要高增益和极低饱和电压的应用而设计。SOT23F 封装与行业标准 SOT23 封装引脚兼容，但为功率密度至关重要的应用提供了更小的外形和更高的功耗。
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RFFM4554 前端模块
Qorvo 的 RFFM4554 是专为 802.11a/n/ac 应用设计的前端模块 (FEM)。集成的单刀双掷开关和带旁路的低噪声放大器大大减少了客户应用中的布局面积、物料清单和可制造成本。RFFM4554 具有独特的结构，其中到 LNA 路径的开关具有引脚，因此可以在当前 Wi-Fi 电路应用的理想路径中添加滤波。该器件采用 2.3mm x 2.3mm x 0.45mm 16 引脚 QFN 封装，满足或超过 IEEE802.11a/n/ac Wi-Fi RF 系统的功率要求。
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QPA1009 功率放大器
Qorvo 的 QPA1009 是一种层压封装的宽带功率放大器 MMIC，采用 Qorvo 生产的 0.15 um GaN on SiC 工艺 (QGaN15)。QPA1009 覆盖 10.7 – 12.7 GHz，提供大于 16 瓦 (42 dBm) 的饱和输出功率和 16 dB 的大信号增益，同时实现 33% 的功率附加效率。
QPA1009 RF 端口具有隔直流电容器，匹配 50 欧姆。QPA1009 RF 输入端口直流耦合到地，以实现最佳 ESD 性能。
QPA1009 采用 6.0 x 5.0 mm 层压封装。QPA1009 可以支持广泛的操作条件，包括 CW 操作，使其非常适合商业和军事系统。
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QPA1000 功率放大器
Qorvo 的 QPA1000 是一款高功率 S 波段放大器，采用 Qorvo 的 TQGaN25 0.25um GaN on SiC 生产工艺制造。QPA1000 覆盖 2.8-3.2 GHz，提供 > 47 dBm 的饱和输出功率和 > 24 dB 的大信号增益，同时实现 > 58% 的功率附加效率。
QPA1000 还可以支持各种操作条件，以最好地支持系统要求。凭借良好的热性能，它可以支持一系列偏置电压，并在脉冲应用下表现良好。QPA1000 与 50 欧姆相匹配，两个 I/O 端口上都带有集成直流阻断电容。它是商用和军用雷达系统的理想选择。
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QPA0812 功率放大器
Qorvo 的 QPA0812 是一款封装的高性能功率放大器，采用 Qorvo 的生产 QPHT15 (0.15um) pHEMT 工艺制造。QPA0812 覆盖 8.5 - 10.5 GHz，提供 1 W 的饱和输出功率和 24 dB 的大信号增益，同时实现 48% 的功率附加效率。
采用小型 4 x 3 mm 塑料包覆成型 QFN 封装，可轻松满足相控阵雷达应用的严格晶格间距要求。射频输入和输出端口与 50Ω 匹配，并包括集成隔直电容器。
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QPA0506 功率放大器
Qorvo 的 QPA0506 是一款 MMIC 功率放大器，采用 Qorvo 的 QGaN25 0.25 um GaN on SiC 生产工艺制造。QPA0506 覆盖 5 – 6 GHz，通常提供 36 dBm 的饱和输出功率和 18 dB 的大信号增益，同时实现 53% 的功率附加效率。
QPA0506 可支持一系列偏置电压，以根据系统要求优化功率和 PAE。QPA0506 与 50 欧姆相匹配，具有隔直流输入和直流接地输出。
QPA0506 采用塑料包覆成型 4x4 mm 封装。QPA0506 经过 100% DC 和 RF 测试，以确保符合电气规范。
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QPA0007 功率放大器
Qorvo 的QPA0007 是一款可重新配置的双波段 MMIC 功率放大器，可在 S 波段和 X 波段工作。在 S 波段，它在 3.1 至 3.5 GHz 频率范围内提供 32 W 饱和功率。在 X 波段中，它提供 9 至 11 GHz 的 28 W 饱和功率。QPA0007 经过 100% DC 和 RF 测试，以确保符合电气规范。
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QPA0004 功率放大器
Qorvo 的 QPA0004 是一款可重新配置的双波段 MMIC 功率放大器，可在 S 波段和 X 波段工作。
在 S 波段，它在 3.1 至 3.5GHz 频率范围内提供 9W 饱和功率。在 X-Band 中，它提供从 9 到 11GHz 的 8W 饱和功率。
QPA0004 经过 100% DC 和 RF 测试，以确保符合电气规范。
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