Qorvo®获得美国国防部合同，以推进氮化镓铜柱前沿技术

美国北卡罗来纳州格林斯巴勒 –2020 年 5 月 20 日 - 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）日前宣布获得美国国防部（DoD）一项为期三年的合同，以进一步推进氮化镓铜柱（copper-pillar-on-GaN）倒装芯片技术的研发。美国国防部计划于美国国内建造高产量代工厂，以推进铜倒装组装工艺的成熟度，在空间受限的相控阵雷达系统及其它国防电子器件中实现裸片垂直堆叠。

印刷线路板上的常规模块级集成通常通过引线键合完成，并使用金属外壳和芯片-导线混合工艺模块，这样既浪费了空间，又增加了系统的重量和成本。铜柱倒装芯片技术实现裸片垂直堆叠，能够集成更多组件，从而使裸片到裸片及裸片到封装间的间隙更紧密，以减少模块重量与成本。

虽然铜倒装芯片目前已大量用于GaAs和硅基RF应用，但铜柱倒装芯片GaN技术通常仅采用成本高昂的原型工艺进行小批量生产。根据合同，Qorvo将以打造高产量、高可靠性的铜柱倒装芯片GaN MMIC技术为目标，并在2022年达到制造成熟度9级。这项为期三年的合同由海军水面作战中心、起重机部代表美国国防部长办公室（OSD）国防制造科学与技术计划（DMS&T）负责实施。

Qorvo基础设施与国防产品高级研发总监Vijay Balakrishna表示：“这一合约项目充分利用了Qorvo在GaN和GaAs制造及封装技术领域30年来的长期技术投资积累。通过培育当今的铜柱倒装芯片技术并将其RF性能推向更高水平，Qorvo将由此提升产能、缩短制造周期，同时显著降低国防和商业相控阵应用的成本。”

Qorvo提供业界最广泛的RF GaN-on-SiC（碳化硅氮化镓）产品组合，帮助客户实现卓越的效率和运行带宽。公司的RF GaN-on-SiC产品具备功率密度高、体积小、增益高、可靠性强、工艺成熟等特点。Qorvo作为RF产品和化合物半导体代工服务的领先供应商，为国防军工及其它全球防务、航空航天客户提供服务。Qorvo也是唯一达到美国国防部制造成熟度10级（MRL 10）评级的供应商。