Sumitomo(住友)选型手册2023

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Sumitomo 住友是全球最大的射频应用氮化镓 (GaN) 器件供应商之一。这些器件被广泛应用于通信基础设施、雷达系统、卫星通信、点对点无线电等领域。

 

 

 

  1. 功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT
  2. 功率氮化镓-用于雷达 C/X 波段的 GaN HEMT
  3. 功率氮化镓-用于海洋雷达的 GaN HEMT
  4. 功率氮化镓-用于雷达 L/S 波段的 GaN HEMT
  5. 功率氮化镓-通用 GaN HEMT
  6. 功率砷化镓-内部匹配的高功率 GaAs FET
  7. 功率砷化镓-功率放大器 MMIC

 

 

 

 

 

 

 

1.功率氮化镓-用于无线电链路和卫星通信的 GaN HEMT

  • 高输出功率

  • 高增益

  • 高效率

  • 内部匹配

　 Part Number Freq.（GHz） IM3（dBc） SCLPout（dBm） Pout（dBm） GL（dB） n add（%6） VDS（V） IDS（DC）（A） IDS（RF）（A） Rth（℃/w） Pkg
* SGK 5867-30A 5.85-6.75 -45 29.5 45 13.5 45 24 1.75 2.7 2.2 I BK
* SGK 5867-60A 5.85-6.75 - 32 48 12.5 40 24 2.6 5.4 1.3  
* SGK 5867-100A/ 001 5.85-6.75 -25 44 50.5 13.5 45 24 4 10 0.55 I2F
* SGK 5872-20A 5.85-7.2 -43 27.5 43 12 41 24 1 1.6 2.7 12C
* SGK 6472-30A 6.4-7.2 -45 29.5 45 12.5 40 24 1.75 2.7 2.2 I BK
* SGK 6472-60A 6.4-7.2 - 32 48 12 39 24 2.6 5.4 1.3  
* SGK 7185-20A 7.1-8.5 -43 27.5 43 11 39 24 1 1.7 2.7 12C
* SGK 7785-30A 7.7-8.5 -45 29.5 45 12 39 24 1.75 2.7 2.2 I BK
* SGK 7785-60A 7.7-8.5 -42 32 48 11 37 24 2.6 5.4 1.3  
* SGK 7785-100A 7.7-8.5 -25 44 50 12 42 24 4 10 0.55 I2F
* SGK 1011-25A 10.7-11.7 -42 29 44 10 33 24 1.2 2.7 1.9 I BK
　 SGK 1314-30A 13.75-14.5 -30 38.5 45 8.5 32 24 0.9 3.3 1.5  
　 SGK 1314-60A 13.75-14.5 -30 41.5 48 8.5 32 24 1.8 6.6 0.8  
　 SGC 7178-100A 7.1-7.8 -27 44 50 12 36 35 0.8 6 0.65 IK
　 SGC 7172-30A 7.14-7.24 -30 38 45.15 12.15 45 50 0.2 - 2.3  
　 SGC 7172-120A 7.14-7.24 -33 44 51.3 12.3 43 50 1.3 - 0.65  
＊：将被新的GaN技术模具取代                        

2.功率氮化镓-用于雷达 C/X 波段的 GaN HEMT

  • 高达 520W（典型值）的高功率

  • 高增益

  • 高效率

  • 宽带

Part Number Freq.（GHz） Pout Typ-（dBm） Gp Typ.（dB） nD Typ.（%） VDS（V） IDS（DC）（A） Rth（c/w） ConditionsPulse Width/Duty Pkg
SGC 5259-50B-R 5.2-5.9 48 13 51 50 0.17 2.4 100μs/10% I BK
SGC 5259-300B-R 5.2-5.9 55.8（~5.7）55.4（5.7~） 13.8（~5.7）13.4（5.7~） 51 50 1 0.7   IK
SGC 5259-400B-R 5.2-5.9 57.2 14.2 50 50 1.3 0.55   I2F
SGC 8598-50B-R 8.5-9.8 48 11 41 50 0.17 2.4   IK
SGC 8598-100B-R 8.5-9.8 51 10 41 50 0.33 1.4    
SGC 8598-200B-R 8.5-9.8 54 10 39 50 0.66 0.6    
SGC 8595-300B-R 8.5-9.5 55.3（~9.17）54.7（9.17~） 9.3（~9.17）8.7（9.17~） 38 50 1 0.7    
SGC 0910-200B-R 9.2-10.5 53.5（~10.1）52.5（10.1~） 9.5（~10.1）8.5（10.1~） 39 50 0.66 0.6    
SGC 0910-300B-R 9-10 55.3（~9.6）54.7（9.6~） 9.3（~9.6）8.7（9.6~） 38 50 1 0.7    
SGC 1011-300B-R 9.8-10.5 55（~10.3）54.4（10.3~） 9.0（~10.3）8.4（10.3~） 37 50 1 0.7    
SGC 1112-100B-R 11.4-12 51 9 37 50 1 1.4   vu
SGM6901VU 8.5-10.1 45.3（~9.8）44.8（9.8~） 23.3（~9.8）22.8（9.8~） 38 50 0.2 2.1    

3.功率氮化镓-用于海洋雷达的 GaN HEMT

  • 高达 340W（典型值）的高功率

  • 高增益

  • 高效率

  • 海洋雷达

  • 阻抗匹配Z 输入/Z 输出= 50 欧姆

Part Number Freq.（GHz） Pout Typ（dBm） Gp Typ（dB） nD Typ.（%） VDS IDS（DC）（A） Rth（c/w） ConditionsPulse Width/Duty Pkg
SGC 9395-50B-R 9.3-9.5 48 11 41 50 0.17 2.4 100μs/10% IK
SGC 9395-100B-R 9.3-9.5 51 10 41 50 0.33 1.4    
SGC 9395-130B-R 9.3-9.5 52 10 39 50 0.5 1.2    
SGC 9395-200B-R 9.3-9.5 54 10 39 50 0.66 0.6    
SGC 9395-300B-R 9.3-9.5 55.3 9.3 38 50 1 0.7    
SGM6906VU 9.2-9.5 47.5 22.5 37 50 0.2 - 50μs/5% VU
SGM6901VU/ 001 9.3-9.5 45.3 23.3 38 50 0.2 2.1 100μs/10%  

4.功率氮化镓-用于雷达 L/S 波段的 GaN HEMT

  • 高达 570W（典型值）的高功率

  • 高增益

  • 高效率

  • 宽带

  • 阻抗匹配Z 输入/Z 输出= 50 欧姆

Part Number Freq-（GHz） Pout Typ-（dBm） Gp Typ-（dB） yD Typ（26） VDS（V） IDS（DC） Rth（c/w） ConditionsPulse Width/Duty Pkg
SGN 2731-130H-R 2.7-3.1 52.2 14.2 62 50 0.5 1.1 400μs/25% IV
SGN 2731-500H-R 2.7-3.1 57.4 12.4 57 50 1.5 0.55 120μs/10%  
SGN 3035-150H-R 3.0-3.5 52.8 13.8 62 50 0.5 1.1 200μs/10%  
SGN 3133-260H-R 3.1-3.3 55.1 11.4 57 32 1 0.55    
SGN 3135-500H-R 3.1-3.5 57.6 11.6 58 50 1.5 0.55    

5.功率氮化镓-通用 GaN HEMT

  • 高达 150W（典型值）的高功率

  • 高效率

  • 可连续波操作

  • 并发宽带操作

  • 小型无凸缘封装

　 Part Number Freq（GHz） O porm tion VDS（V） Spec.frequency Pout Typ.（dBm） Gp Typ0.（dB） nD TypC6） Pkg
　 SGCA030M1H DC-5 cw 50 5 45.5 9.5 53 M1H
　 SGCA100M1H DC-4 CW 50 3.9 50.5 14.5 48  
* SGNH130M1H DC-3.0 Cw 50 3 51.9 13.9 56.5  

6.功率砷化镓-内部匹配的高功率 GaAs FET

  • FLM/ELM 系列是内部匹配的功率 GaAs FET，专为无线电链路应用而开发，这些应用需要在 4.4GHz 至 14.5GHz 频段的 50 Ω 系统中实现高功率、高增益和低失真。

  • 输入/输出内部匹配Zin/Zout = 50ohm

  • 密封金属壁封装

  • 高增益

  • 高输出功率（高达 45W）

  • 低失真

  • 覆盖宽带

Part Number Freq. (GHz) lM3 (dBc) SCLPout (dBm) P1dB (dBm) G1dB (dB) ηadd (%) VDS (V) IDS(DC) (mA) IDS(RF) (mA) Rth (°C/W) Pkg
FLM 4450-4F 4.4-5.0 -46 25.5 36.5 11 37 10 1100 1100 5 IB
FLM 4450-8F 4.4-5.0 -46 28.5 395 10 36 10 2200 2200 3  
FLM 4450-12F 4.4-5.0 -46 30.5 415 10.5 39 10 3250 3250 2.3 IK
FLM 4450-18F 4.4-5.0 -46 32 43 9.5 36 10 4800 4900 1.6  
FLM 4450-25F 4.4-5.0 -46 33.5 44.5 9.5 40 10 6200 6200 1.4  
FLM 4450-45F 4.4-5.0 　 　 46.5 10 41 12 7000 9000 1.1  
FLM 5964-4F 5.9-6.4 -46 25.5 36.5 10 37 10 1100D 1100 5 IB
FLM 5964-8F 5.9-6.4 -463 28.5 39.5 10 37 10 2200 2200 3  
FLM 5964-12F 5.9-6.4 -46 30.5 41.5 10 37 10 3250 3250 2.3 IK
ELM 5964-16F 5.9-6.4 -45 31.5 425 10 40 10 2800 4000 2.7  
FLM 5964-18F 5.9-6.4 -46 32 43 10 37 10 4975 4975 1.6  
FLM 5964-25F 5.9-6.4 -46 33.5 445 10 37 10 6500 6500 1.4  
FLM 5964-35F 5.9-6.4 -40 35 45.5 9 36 10 9000 9500 1.1  
FLM 5964-45F 5.9-6.4 -40 35.5 47 8.5 39 10 9000 11000 1.1  
FLM 6472-4F 6.4-7.2 -46 25.5 365 9.5 36 10 1100 1100 5 IB
FLM 6472-8F 6.4-7.2 -46 28.5 39.5 9.5 36 10 2200 2200 3  
FLM 6472-12FF 6.4-72 -46 30.5 415 9.5 37 10 3250 3250 2.3 IK
ELM 6472-16F 6.4-7.2 -45 31.5 425 9.5 40 10 2900 4000 2.7  
FLM 6472-18F 6.4-7.2 -46 32 43 9.5 37 10 4975 4875 1.6  
FLM 6472-25F 6.4-72 -465 335 44.5 9.5 38 10 6500 6500 1.4  
FLM 7785-4F 7.7-8.5 -46 25.5 365 8.5 35 10 1100 1100 5 IB
FLM 7785-BF 7.7-9.5 -46 28.5 39.5 8.5 34 10 2200 2200 3  
FLM 7795-12F 7.7-8.5 -46 30.5 415 85 34 10 3500 3500 2.3 IK
ELM 7785-16F 7.7-9.5 -43 315 42.5 8 37 10 2800 4000 2.7  
FLM 7795-19F 7.7-8.5 -45 31.5 425 7 29 10 4700 4700 1.6  
ELM 7785-35F 7.7-8.5 　 　 45.5 8.5 35 10 9000 9500 1.1  
FLM 7785-45F 7.7-8.5 - - 46.5 7 325 10 9000 11000 1.1  
FLM 0910-4F 9.5-10.5 -46 25.5 36 7.5 29 10 1100 1100 5 IA
FLM 0910-QF 9.5-105 -46 28.5 39 7.5 29 10 2200 2200 3 Is
FLM 0910-12F 9.5-105 -- 　 40.5 7 25 10 3500 3500 2.3  
FLM 0910-15F 9.5-10.5 　 　 42 7.5 32 10 3600 4000 2.3  
FLM 0910-25F 9.5-10.5 - - 44 7 30 10 6500 6500 1.4 IK
FLM 1011-4F 10.7-11.7 -46 25.5 36 7 29 10 1100 1100 5 IA
FLM 1011-6F 10.7-11.7 -49 25 37.5 7.5 28 10 1800 1900 4  
FLM 1011-8F 10.7-11.7 -46 28.5 39 7 29 10 2200 2200 3 IB
FLM 1011-12F 10.7-11.7 5 29.5 40.5 6 25 10 3600 3600 2.3  
FLM 1011-15F 10.7-11.7 -45 30 42 7 31 10 3600 3600 2.3  
FLM 1314-3F 13.75-14.5 -45 24 35 5.5 27 10 900 900 5 IA
FLM 1314-6F 13.75-14.5 -45 26.5 37.5 5.5 22 10 1900 1900 4  
FLM 1314-BF 13.75-14.5 -45 28 39 6 27 10 2400 2400 2.8  
ELM 1314-9F 13.75-14.5 -30 33 395 6 30 10 1750 2400 3.5  
FLM 1314-12F 13.75-14.5 -45 29 41 6 23 10 4200 4200 1.8 IB
FLM 1314-18F 13.75-14.5 -30 36 42.5 6 27 10 5000 5000 1.8  
ELM 114-3CF/ 001 13.75-14.5 -30 39 445 5.5 22 10 7000 9000 1

M2A

7.功率砷化镓-功率放大器 MMIC

  • 在合适的高频封装中的 GaAs 功率放大器 MMIC，在 C 频段到 Ka 频段的频率范围内输出功率为 50mW - 2W。提供各种类型的封装，包括高可靠性密封型、低成本表面贴装型。

  • MMIC 可以进行封装以满足客户的成本/性能要求。

  • 输入和输出内部匹配 Zin/Zout =50ohm

  • 高输出功率（高达2W）

  • 高增益

  • 低失真

  • 小型密封封装（V1B/V1D/VU）

Part Number Fro q.（GHz） P1dB3（dBm） G1dB（dB） OIP 3（dBm） VDD（V） IDD（mA） IDD（P1dB）（mA） Pkg
EMM5074VU 5.8-8.5 32（f=5.8-7.1GHz） 26 41 6 1200 1400（f=5.8-8.1GHz） vu
    33（f=7.1-8.5GHz）            
EMM5068VUJ 9.5-13.3 33（f=9.5-11.7GHz） 25（f=9.5-11.7GHz） 40 6 1300 1500（f=9.5-11.7GHz）  
    31（f=11.7-13.3GHz） .23（f=11.7-13.3GHz）          
EMM5075VU 12.7-15.4 33 25 42 6 1200 1500  
SMM5085V1B 12.7-15.4 32.5 24 42 6 1200 1500 V1B
EMM5836V1B 17.7-19.7 32.5 26 40 6 1400 1800  
EMM5832VU 21.2-26.5 31 19 36.5 6 800 1000 vu
SMM5845V1B 21.2-23.6 33 21 41 6 1400 1800 V1B
SMM5854V1D 17.7-19.7 32.5 26 40 6 1400 1800 V1D
SMM5855V1D 21.2-23.6 33 24 41 6 1400 1800  

 

 
 
 
 
2023年12月15日
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