UJ3C065030B3 栅极驱动 SiC 器件

产品简介
Qorvo 的 UJ3C065030B3 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 产品将其高性能第 3 代 SiC JFET 与 FET 优化 MOSFET 共同封装，以生产当今市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 D2PAK-3L 封装，具有超低栅极电荷，而且具有同类额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合开关电感负载，以及任何需要标准栅极驱动的应用。

产品规格
VDS 最大值(V)    650
RDS(on) Typ @ 25C (mohm)    27
内径最大值(A)    65
一代    第 3 代
Tj 最大值(°C)    175
汽车资质    是的
包装类型    D2PAK-3L

主要特征
导通电阻 (RDS(on))：27 mohm（典型值）
最高工作温度：175 °C
优秀的反向恢复
低栅极电荷
低本征电容
ESD 保护，HBM 2 级

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