ZXTN19020DG 低饱和 晶体管

产品简介
DIODES 的 ZXTN19020DG 采用 SOT223 外形封装的这种新型低饱和 NPN 晶体管具有极低的导通状态损耗，使其非常适合用于 DC-DC 电路以及各种驱动和电源管理功能。

产品规格
类别       低饱和晶体管
合规性（只有汽车支持 PPAP）    标准
极性    NPN
VCEO, VCES (V)    20
IC (A)     9
ICM (A)    20
PD (W)     3
hFE（最小值）    300
hFE (@IC) (A)    0.1
h FE（最小 2）    130
hFE (@ IC2) (A)    9
VCE(sat) 最大值 (mV)    70
VCE (SAT) (@IC/IB) (A/mA)    1/10
VCE(sat)（最大 2）（mV）    80
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA)    2/40
fT (兆赫)    160
RCE(饱和) (mΩ)    20

主要特征
BVCEX>70伏
BVECO>4.5伏
bvco>20伏
IC=9A连续集电极电流
极低饱和电压VCE（sat）<35mV@1A
RCE（sat）=20mΩ
互补PNP类型：ZXTN19020DG
完全无铅且完全符合RoHS（注1和2）
不含卤素和锑。“绿色”装置（注3）
符合AEC-Q101高可靠性标准

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