CG2H40045F DC到4GHz高性能射频功率晶体管
前言
今天到手的实物是 原Cree（科瑞）开发的高性能射频功率晶体管--CG2H40045F，于是我到官网查看下该型号信息，发现检索不到该型号，于是在官网新闻处了解到，MACOM收购了Wolfspeed（CREE）
Wolfspeed（CREE） 完成向 MACOM 出售射频业务-官网公布的信息
Wolfspeed（CREE） 完成向 MACOM 出售射频业务-官网公布的信息
正文
MACOM/Wolfspeed（CREE） CG2H40045F DC到4GHz高性能射频功率晶体管
什么是CG2H40045F？
CG2H40045F 是一种基于氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），其工作频率范围为 DC 到 4 GHz。GaN 技术以其高功率密度、高效率和高带宽而闻名，使其在射频和微波领域具有显著优势。
关键性能参数
- 小信号增益：在 2.0 GHz 时为 18 dB，在 4.0 GHz 时为 14 dB。
- 输出功率（PSAT）：典型值为 55 W，能够满足大多数高功率应用需求。
- 效率：在最大输出功率时效率高达 60%，显著降低了功耗和热管理需求。
- 最大漏源电压（VDSS）：120 V，提供了更高的电压耐受能力。
- 热阻：仅为 2.8°C/W，确保了良好的热管理性能。
电气特性
在常温条件下（TC = 25°C），CG2H40045F 展示了以下关键电气特性：
- 栅极阈值电压（VGS(th)）：-3.0 V（典型值），可以有效控制器件的导通和关断。
- 饱和漏电流（IDS）：典型值为 14.0 A，提供了高电流处理能力。
- 漏源击穿电压（VBR）：高达 120 V，增强了器件的可靠性。
应用领域
- 双向专用无线电：用于高效的无线电通信。
- 宽带放大器：支持多频段操作，适应不同应用需求。
- 蜂窝基础设施：提高信号覆盖和质量，满足现代通信的高要求。
- 测试仪器：用于各种高频测试设备，确保测量的准确性和稳定性。
- 线性放大器：适用于 OFDM、W-CDMA、EDGE、CDMA 等波形，提供高质量的信号放大。
相关的型号
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| CG2H30070 | 70 W；0.5 - 3.0 GHz；GaN HEMT |
| CG2H40010 | 10 W 射频功率 GaN HEMT |
| CG2H40025 | 25 W 射频功率 GaN HEMT |
| CG2H40035 | 35 W 射频功率 GaN HEMT |
| CG2H40045 | 45 W 射频功率 GaN HEMT |
| CG2H80015D-GP4 | 15 W；8.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CG2H80030D-GP4 | 30 W；8.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CG2H80045D-GP4 | 45 W、8.0 GHz、GaN HEMT 芯片 |
| CG2H80060D-GP4 | 60 W；8.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CG2H80120D-GP4 | 120 W；DC - 8000 MHz；28 V；GaN HEMT 芯片 |
| CGH21240 | 240瓦； 1800年至2300兆赫；用于WCDMA的GaN HEMT；长期演进（LTE）；无线网络 |
| CGH27015 | 15 W；28 V；GaN HEMT，适用于甚高频至 3 GHz 的线性通信 |
| CGH27015P | 15 W、28 V、GaN HEMT，适用于甚高频至 3 GHz 的线性通信 |
| CGH27030 | 30 W，直流 - 6.0 GHz，28 V，GaN HEMT |
| CGH27060F | 8 W（平均）；28 V；GaN HEMT，适用于 VHF 至 3 GHz 范围的线性通信 |
| CGH31240F | 240 W；2700 - 3100 MHz；50 欧姆输入/输出匹配 GaN HEMT，适用于 S 波段雷达系统 |
| CGH35060P2 | 60 W；3100 - 3500 MHz；28 V GaN HEMT |
| CGH40006 | 6 W 射频功率 GaN HEMT |
| CGH40010 | 10 W 射频功率 GaN HEMT |
| CGH40025 | 25 W 射频功率 GaN HEMT |
| CGH40035 | 35 W 射频功率 GaN HEMT |
| CGH40045 | 45 W 射频功率 GaN HEMT |
| CGH40090 | 90 W 射频功率 GaN HEMT |
| CGH40120 | 120 W 射频功率 GaN HEMT |
| CGH40180 | 180 W 射频功率 GaN HEMT |
| CGH55030 | 30瓦； 5500-5800兆赫； 28伏；用于 WiMAX 的 GaN HEMT |
| CGH60008D-GP4 | 8 W；6.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGH60015D-GP4 | 15 W；6.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGH60030D-GP4 | 30 W；6.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGH60060D-GP4 | 60 W；6.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGH60120D-GP4 | 120 W；6.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGHV1F006 | 6 W；DC - 15.0 GHz；40 V；GaN HEMT |
| CGHV1F025 | 25 W；DC - 15 GHz；40 V；GaN HEMT |
| CGHV1J006D-GP4 | 6 W；18.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGHV1J025D-GP4 | 25 W；18.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGHV1J070D-GP4 | 70 W；18.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGHV27015S | 15 W；DC - 6.0 GHz；50 V；GaN HEMT |
| CGHV27030 | 30 W；DC - 6.0 GHz；GaN HEMT |
| CGHV27060 | 60 W；DC 至 2700 MHz；50 V；适用于 LTE 和脉冲雷达应用的 GaN HEMT |
| CGHV31500 | 500W，2.7 - 3.1 GHz，GaN IMFET |
| CGHV35060MP | 60 W；2700 至 3800 MHz；50 V；用于 S 波段雷达和 LTE 基站的 GaN HEMT |
| CGHV35120F | 120 W；2.9 - 3.8 GHz；50 V；用于 S 波段雷达系统的 GaN HEMT |
| CGHV35150 | 150 W；2900 - 3500 MHz；50 V；用于 S 波段雷达系统的 GaN HEMT |
| CGHV35400 | 400 W；2900 - 3500 MHz；50 欧姆输入/输出匹配；用于 S 波段雷达系统的 GaN HEMT |
| CGHV37400F | 400 W；3300 - 3700 MHz；50 欧姆输入/输出匹配；用于 S 波段雷达系统的 GaN HEMT |
| CGHV38375F | 2.75 - 3.75，400W GaN 基 SiC HPA |
| CGHV40030 | 30 W；DC - 6 GHz；50 V；GaN HEMT |
| CGHV40050 | 50 W；DC - 4.0 GHz；50 V；GaN HEMT |
| CGHV40100 | 100瓦；直流CGHV40100 3 GHz； 50伏；氮化镓高电子迁移率晶体管 |
| CGHV40320D-GP4 | 320 W；4.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGHV60040D-GP4 | 40 W；6.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGHV60075D5-GP4 | 75 W；6.0 GHz；GaN HEMT 芯片 |
| CGHV60170D-GP4 | 170 W；6.0 GHz；50 V GaN HEMT 芯片 |
| CMPA0060002 | 2瓦； 20兆赫至6000兆赫； GaN MMIC 功率放大器 |
| CMPA0060025 | 25瓦；直流——6.0 GHz； GaN MMIC 功率放大器 |
| CMPA0527005 | 5 W；0.5 - 2.7 GHz；50 V；用于功率放大器的 GaN MMIC |
| CMPA2060035 | 35 W；2.0 - 6.0 GHz；28V；GaN MMIC 功率放大器 |
| CMPA2560025 | 25瓦； 2.5 - 6.0 GHz； GaN MMIC 功率放大器 |
| CMPA2735015 | 15 W、2.7 至 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 功率放大器 |
| CMPA2735030 | 30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 功率放大器 |
| CMPA2735075 | 75 W、2.7 - 3.5 GHz、GaN MMIC 功率放大器 |
| CMPA2738060 | 80瓦； 2.7 - 3.8 GHz； GaN MMIC；功率放大器 |
| CMPA2935150 | 150W；2.9 - 3.5 GHz；GaN MMIC |
| CMPA3135060S | 3.1 - 3.5 GHz；60 W；封装 GaN MMIC 功率放大器 |
| CMPA5259050 | 50瓦； 5200 - 5900 兆赫； 28V；用于雷达功率放大器的 GaN MMIC |
| CMPA5259100 | 5.0 - 5.9 GHz、100W GaN MMIC HPA |
