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WCR670N65TG是一个高压MOSFET

型号简介
      WCR670N65TGWILLSEMI/OmniVision推出的一款高压MOSFET器件,该器件采用先进的电荷平衡机制,具有低导通电阻和低栅极电荷等优点,适用于各种交流/直流电源转换,可实现更高的效率。

 

型号规格

  • 品牌:WILLSEMI/OmniVision
  • 型号:WCR670N65TG
  • 名称:晶体管
  • 封装:TO-220

 

型号特点

  • 漏源电压 VDS:650V
  • 栅源电压 VGS:±30V
  • 连续漏极电流 ID:7.8A (TC=25°C), 4.9A (TC=100°C)
  • 脉冲漏极电流 IDM:31.2A
  • 单次脉冲雪崩能量 EAS:113mJ
  • 功耗 PD:80W (TC=25°C), 30W (TC=100°C)
  • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C

 

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产品详情