WCR670N65TG是一个高压MOSFET
型号简介
WCR670N65TG是WILLSEMI/OmniVision推出的一款高压MOSFET器件,该器件采用先进的电荷平衡机制,具有低导通电阻和低栅极电荷等优点,适用于各种交流/直流电源转换,可实现更高的效率。
型号规格
- 品牌:WILLSEMI/OmniVision
- 型号:WCR670N65TG
- 名称:晶体管
- 封装:TO-220
型号特点
- 漏源电压 VDS:650V
- 栅源电压 VGS:±30V
- 连续漏极电流 ID:7.8A (TC=25°C), 4.9A (TC=100°C)
- 脉冲漏极电流 IDM:31.2A
- 单次脉冲雪崩能量 EAS:113mJ
- 功耗 PD:80W (TC=25°C), 30W (TC=100°C)
- 工作温度范围:-55°C ~ 150°C
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