WNM3008：超低阈值电压，优化电源性能
型号简介
WNM3008是WILLSEMI/OmniVision推出的一款小巧而强大的 N 沟道增强型 MOSFET，拥有许多令人印象深刻的特性。它采用先进的沟槽技术和高密度单元设计，使其拥有极低的导通电阻，这意味着它可以高效地驱动大电流负载，同时保持较低的功耗。
型号规格
- 品牌：WILLSEMI/OmniVision
- 型号：WNM3008
- 名称：晶体管
- 封装：SOT-23
型号特点
- 采用先进的沟槽技术
- 非常适合 DC-DC 转换器
- 符合无铅和卤素环保标准
- 脉冲漏极电流 (IDM): 10A
- 工作结温 (TJ): 150°C
- 引线温度 (TL): 260°C
- 存储温度范围 (Tstg): -55°C to 150°C
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