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WNMD2090:先进技术与封装的完美结合

型号简介
       WNMD2090WILLSEMI/OmniVision推出的一款双N通道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计,提供极低的导通电阻和低门极电荷。此器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNMD2090是无铅和卤素自由的,具有ESD保护功能。

 

型号规格

  • 品牌:WILLSEMI/OmniVision
  • 型号:WNMD2090
  • 名称:晶体管
  • 封装:PDFN2X2-6L

 

型号特点

  • 最大漏源电压 (VDS): 20V
  • 最大栅源电压 (VGS): ±10V
  • 沟槽技术
  • 超高密度单元设计
  • 优秀的导通电阻,适用于更高直流电流
  • 极低的阈值电压
  • 小型封装PDFN2X2-6L

 

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