WNMD9926：低栅极电荷，高密度设计的代表

型号简介
       WNMD9926是WILLSEMI/OmniVision推出的一款N 沟道增强型功率 MOSFET。它采用先进的 trench 技术和设计，提供极低的 RDS(ON) 和低栅极电荷。这使得 WNMD9926 非常适合用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 WNMD9926 无铅且无卤素，符合环保要求。

型号规格

• 品牌：WILLSEMI/OmniVision
• 型号：WNMD9926
• 名称：晶体管
• 封装：SOP-8L

型号特点

• 采用 trench 技术
• 超高密度单元设计
• 优秀的 ON 电阻
• 极低的阈值电压
• SOP-8L 封装

相关型号

• WPM2053
• WPM2049B
• WPM2049
• WPM2037
• WPM2031
• WPM2026
• WPM2019
• WPM2015
• WPM2006
• WPM2005B
• WPM1488
• WPM1485
• WPM1483
• WPM1481
• WPM1480