WNM07N65F 功率晶体管设计与应用

型号简介
       WNM07N65F是WILLSEMI/OmniVision推出的一款650V N-Channel 增强型 MOSFET 晶体管。它采用先进的高电压 MOSFET 工艺和设计，提供了优秀的 RDS(ON) 特性和低门极电荷。该器件适用于流行的 AC-DC 应用、功率开关应用和多种其他应用。

型号规格

• 品牌：WILLSEMI/OmniVision
• 型号：WNM07N65F
• 名称：晶体管
• 封装：TO-220, TO-220F

型号特点

• 650V@TJ=25°C 的最大漏源电压
• 典型的 RDS(ON) 为 1.0 欧姆
• 低门极电荷
• 100% 雪崩测试
• 100% Rg 测试
• 最大漏极电流为 7A（TC=25°C）
• 最大脉冲漏极电流为 28A
• 单脉冲雪崩能量为 124mJ
• 最大功率耗散为 156W（TC=25°C）
• 工作和存储温度范围为 -55°C 至 150°C

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