M25P16-VMN6P闪存

M25Pxx是512Kbit至32Mbit（2M x 8）串行闪存，具有高级写保护通过高速SPI兼容总线访问的机制。存储器可以设置为1至256字节时间，使用页面程序指令。
内存按多个扇区组织，每页包含256或128页。每页是256字节宽。整个内存可以使用Bulk擦除使用以下命令擦除指令或一次擦除一个扇区
扇区擦除指令。

512Kbit至32Mbit的闪存
■1.4毫秒内的页面编程（最大256个字节）
（典型）
■扇区擦除（256 Kbit或512Kbit）
■批量擦除（512Kbit至32Mbit）
■2.7至3.6V单电源电压
■SPI总线兼容的串行接口
■40MHz至50MHz时钟速率（最大）
■深度掉电模式1µA（典型值）
■电子签名
– JEDEC标准两字节签名
（20xxh）
– RES指令，一个字节，签名，用于
向后兼容
■每个超过100000个擦除/程序周期
部门
■超过20年的数据保留