LND01K1-G晶体管

LND01是一种低阈值，耗尽型（常导通）晶体管，利用先进的横向DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合产生了一种具有双极型晶体管的功率处理能力并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特性，没有热失控和热引起的二次击穿。晶体管的主体连接到栅极引脚。因此，通道同时被浇口和阀体夹住。栅极引脚将有一个二极管连接到漏极端子，另一个二极管连接到源极端子。

双向的
低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
高输入阻抗和高增益
低功率驱动要求
易于并联