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MT41K128M16JT-125IT存储器

1.35V DDR3L SDRAM器件是1.5V DDR3 SDRAM器件的低压版本。请参阅
DDR3(1.5V)SDRAM数据表规格何时
在1.5V兼容模式下运行。
特征
•VDD = VDDQ = 1.35V(1.283–1.45V)
•向后兼容VDD = VDDQ = 1.5V±0.075V
•差分双向数据选通
•8n位预取架构
•差分时钟输入(CK,CK#)
•8家内部银行
•标称和动态片上终止(ODT)
用于数据,选通和屏蔽信号
•可编程CAS(READ)延迟(CL)
•可编程过帐的CAS附加延迟(AL)
•可编程CAS(WRITE)延迟(CWL)
•固定的突发长度(BL)为8,突发斩波(BC)为4
(通过模式寄存器集[MRS])
•即时选择BC4或BL8(OTF)
•自刷新模式
•摄氏95度
–最高85°C的64ms,8192个周期的刷新
–> 85°C至95°C时32ms,8192个周期的刷新
•自刷新温度(SRT)

•自动自我刷新(ASR)
•写作练级
•多用途寄存器
•输出驱动器校准

产品详情