TGF2023-2-02 分立式功率 GaN

产品简介
Qorvo 的 TGF2023-2-02 是一款分立式 2.5 mm GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 DC 至 18 GHz。
TGF2023-2-02 通常提供 40.1 dBm 的饱和输出功率，在 3 GHz 时具有 21 dB 的功率增益。最大功率附加效率为 73.3%，这使得 TGF2023-2-02 适合高效应用。

产品规格
最低频率(MHz)    直流电
最大频率(MHz)    18,000
增益（分贝）    21
饱和度(dBm)    40.1
PAE （%）    73.3
电压（伏）    12 至 32
Idq （毫安）    50 至 250

主要特征
频率范围：直流至 18 GHz
3 GHz 时标称 Psat 为 40.1 dBm
73.3% 最大 PAE
21 dB 标称功率增益
偏置：V D = 12 至 32 V，I DQ = 50 - 250 mA
芯片尺寸：0.82 x 0.92 x 0.10 毫米

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