PE29100高速FET驱动器

PE29100集成了高速驱动器，旨在控制外部功率器件的栅极，例如增强型氮化镓（eGaN®）FET。PE29100的输出能够提供亚纳秒范围内的开关转换速度，适用于高达33 MHz的硬开关应用。较高的开关速度可实现较小的外围组件，并支持Rezence A4WP无线电源传输等新应用。PE29100采用倒装芯片封装。

主要特点
高侧和低侧FET驱动器
停滞时间控制
快速传播延迟，8 ns
三态使能模式
亚纳秒的上升和下降时间
2A / 4A峰值源，灌电流

配置    门极驱动器
    
马克斯·文（V）    半桥
    
频率（MHz）    100伏
    
上升时间（ns）    33兆赫
    
下降时间（ns）    1个
    
传播延迟（ns）    1个
    
最小输出脉冲宽度（ns）    8
    
停滞时间控制    10
    
特征    可设定电阻
    
包裹    倒装芯片
    
包装（mm）    2×1.6毫米