SGFCF10S-D 高压塑料模GaN HEMT

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT提供高效率、易于匹配、更大具有50V操作的高功率放大器的一致性和宽带宽，并且给你更高的增益。此新产品非常适合使用高达3.8GHz的W-CDMA和LTE设计要求，因为它提供了高增益、长期可靠性和易用性。该器件的目标应用是微电池的驱动阶段和最终阶段基站收发信台。

型号规格     
厂家                    Sumitomo Electric  Eudyna
型号                    SGFCF10S-D
名称                    单路径设备
产地                    日本
封装                    SMT

型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：41dBm（典型值）@Psat
高效率：60%（典型值）@Psat
功率增益：19.5dB（典型值）@f=2.65GHz
经验证的可靠性

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