IDM165L650功率晶体管

IDM165L650是一种高功率脉冲晶体管，专为工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系统而设计。 该双MOSFET器件以1ms的脉冲宽度和20％的占空比工作，在瞬时工作带宽上以80W的固定输入功率提供至少650W的峰值脉冲功率。 所有设备在整个指定工作带宽内的宽带RF测试治具中都针对大信号RF参数进行了100％的筛选，无需进行任何可变或外部调谐。

硅VDMOS
匹配50欧姆
650W输出功率
经过100％大功率射频测试
C级操作