IGN0450M250功率晶体管

IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，
旨在满足P波段雷达系统的独特需求。
它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，
10％占空比脉冲条件，可提供至少250 W的
峰值输出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。
它通过50 V电源电压工作。 为了获得最佳的热效率，
该晶体管封装在带有环氧密封陶瓷盖的金属基封装中。

特征

基于SiC HEMT技术的GaN

输出功率> 250W

预匹配的输入阻抗
极高的效率-高达80％
在100ms，10％占空比脉冲条件下进行了100％RF测试