IGN2729M400功率晶体管

IGN2729M400是一款高功率GaN-on-SiC射频功率晶体管，旨在满足现代雷达系统的独特需求。 它提供至少400W的峰值输出功率，通常具有> 11 dB的增益和58％的效率。 它通过50 V电源电压工作。 为了获得最佳的热效率，晶体管被封装在带有环氧树脂密封陶瓷盖的金属基封装中。

GaN on SiC HEMT技术

输出功率> 400W

AB类操作

预匹配的输入和输出阻抗

高效率-典型58％

在300µs，10％占空比脉冲条件下进行了100％RF测试

符合RoHS和REACH