IGN2731M200功率晶体管
IGN2731M200是高功率GaN晶体管，最适合S波段雷达应用。 该晶体管被指定用于AB类工作，工作频率为2.7-3.1 GHz，最小200W峰值输出功率，44V和10％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。
GaN on SiC HEMT技术
200W输出功率
AB类操作
预先匹配的内部阻抗
经过100％大功率射频测试
负栅极电压/偏置排序
IGN2731M200是高功率GaN晶体管，最适合S波段雷达应用。 该晶体管被指定用于AB类工作，工作频率为2.7-3.1 GHz，最小200W峰值输出功率，44V和10％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。
GaN on SiC HEMT技术
200W输出功率
AB类操作
预先匹配的内部阻抗
经过100％大功率射频测试
负栅极电压/偏置排序
