IGN2856S40功率晶体管
IGN2856S40是高功率脉冲晶体管，指定用于AB类操作下。 该晶体管提供2.856 GHz的工作频率，最小40W的峰值脉冲功率，50V和3％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。
GaN on SiC HEMT技术
40W输出功率
AB类操作
预先匹配的内部阻抗
经过100％大功率射频测试
负栅极电压/偏置排序
IGN2856S40是高功率脉冲晶体管，指定用于AB类操作下。 该晶体管提供2.856 GHz的工作频率，最小40W的峰值脉冲功率，50V和3％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。
GaN on SiC HEMT技术
40W输出功率
AB类操作
预先匹配的内部阻抗
经过100％大功率射频测试
负栅极电压/偏置排序
