CHA2069-99F低噪声放大器

CHA2069-99F是三级自偏置宽带单片低噪声放大器。

该电路采用标准的pHEMT工艺制造：栅极长度为0.25µm，通过基板的通孔，空气桥和电子束栅极光刻技术。

它以芯片形式提供。

功能
 放大器– LNA
射频带宽（GHz）最小值-最大值
 16-31
噪声系数（dB）
 2.5
增益（dB）
 22
封装  裸片

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